早期工藝僅僅支持N MOS來實現(xiàn)邏輯功能，如今采用N MOs加P MOS是因為MOS管的占據(jù)面積遠遠小于電阻的面積，并且具有更高的放大倍數(shù)！這是一個比較典型的非門電路，流過MOS管的電流會很大。

    當輸入高電平時，流過MOS管的電流會很大。這時就需要串入電阻，即Rd進行限流，不過此時消耗的功率已經(jīng)很大了，想要獲得絕對低的漏電流和較低功耗。實際是使用MOS管來實現(xiàn)基本邏輯門會更好。因此上述電路，我們選擇用一個P MOS管來替代電阻。

     就構(gòu)成了一個互補MOS飛門，即C MOS反向器。當輸入高電平時，下管的N MOS導通，導通電阻為兆歐級別，上管P MOS截止.等效兆歐級別.飛門輸出為低電平，輸出電壓Vout接近于0，輸出電壓Vout接近于0，電路的功耗大大降低:當輸入低電平時，下管N MOS截止，上管P MOS導通.非門輸出為高電頻，輸出電壓Vout接近于VDD.消耗電流取決于out的接收端，C MOS反向器接近于一個理想的邏輯單元。

    其輸出電壓接近0或者VDD，反向器在處理高頻信號時，一般有幾個重要的指標，如果反向器在實現(xiàn)過渡時不夠迅速，那么就會導致在處理高頻信號時，出現(xiàn)失真。

    總的來說，當只用一個MOS管時，就需要上拉電阻，但這樣會導致結(jié)構(gòu)較大，靜態(tài)功耗也大.而當把N MOS和P MOS放在一個基板成對用，C MOS規(guī)定P MOS上拉，N MOS下拉.反向器靜態(tài)工作時，總能輸出高質(zhì)量的高低電平，且不依賴于上拉下拉電阻.并且獲得了很低的靜態(tài)功耗！

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