超結(jié)MOS是英文Super Junction 的直譯也叫Cool MOS是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計的MOS管。

     超結(jié)MOS是在提高NEPI的摻雜濃度的同時，利用在NEPI中加入P柱，形成更大的PN結(jié)，在器件返偏時，形成很厚的PN耗盡層，以達到高的隔離電壓。

    超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。

  超結(jié)MOSFET有哪些優(yōu)點呢？

    1、超結(jié)MOSFET與傳統(tǒng)的VDMOS相比，具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快、芯片體積小、發(fā)熱低的特點。
一般來說，相同電流、電壓規(guī)格的超結(jié)MOSFET導(dǎo)通電阻僅為傳統(tǒng)VDMOS的一半左右，器件開通和關(guān)斷速度較傳統(tǒng)VDMOS下降30%以上。這些特點可以使超結(jié)MOSFET在替代傳統(tǒng)VDMOS時具有更好的溫升和效率表現(xiàn)，一般來說，使用超結(jié)MOSFET后，電源效率可以上升1～2百分點。同時超結(jié)MOSFET也完全可以與驅(qū)動IC一起進行集成封裝，大幅度降低產(chǎn)品體積。
     2、 超級結(jié)具有更小的結(jié)電容。對超級結(jié)器件而言，電阻的減小會帶來明顯的好處，例如在相同RDS(on)下的更低導(dǎo)通損耗或更小管芯。

    另外，芯片面積的減小會導(dǎo)致更低的結(jié)電容以及柵極和輸出電荷，這可減小動態(tài)損耗。在低壓溝槽式或平面式MOS管中，通常需要考慮以更高結(jié)電容為讓步條件來降低RDS(on)。在超級結(jié)技術(shù)情況下，讓步程度是最小的。電荷平衡機制可同時減小RDS(on)和器件結(jié)電容，使之成為一種雙贏解決方案。

    凌訊微提供多種Cool MOS型號供選擇，具有內(nèi)阻低、抗沖擊能力強、結(jié)電容低、品質(zhì)穩(wěn)定等特點。