推挽工作原理：由電源IC發(fā)出占空比信號，也就是這個方波，通過電阻限流到達(dá)三極管的基極：上管是npn下管是pnp。

當(dāng)信號為高電平輸出到達(dá)三極管基極時，Q1導(dǎo)通，（npn在高電平時導(dǎo)通），隨后MOS管導(dǎo)通。

當(dāng)輸出低電平時，上管Q1截止，Q2導(dǎo)通（pnp是低電平導(dǎo)通），隨后MOS管通過電阻放電到地，最后截止。

也就是說，通過兩個三極管輪流工作來進行一推一挽，來達(dá)到推挽的功能。

這里的R1的作用是用來確定開機時候的初始電位，以防開機誤觸發(fā)mos管，以及關(guān)機放電。

那R2呢？

通常會使用推挽電路是因為，有時一些IC或者CPU的電流比較小，不足以驅(qū)動MOS管，所以加入推挽來增加驅(qū)動能力。

那為什么MOS管是壓控性器件，還需要考慮電流大小進行驅(qū)動？

這是一個IC直接驅(qū)動電路：

首先需要從IC手冊中了解它最大的峰值驅(qū)動電流（不同IC芯片驅(qū)動能力不同），C1、C2決定了MOS管被驅(qū)動時 的導(dǎo)通速度。

當(dāng)IC電流比較小時，C1 C2會比較大，這時MOS管的驅(qū)動速度會變慢，在有些電路中是不適應(yīng)的。

原因很簡單,這是因為MOS管的輸入電容CGS和CGD這兩個電容和芯片的面積有一定關(guān)系，MOS管本質(zhì)上雖然是壓控型器件，但柵極電位的上升與下降本質(zhì)上是對CGS、CGD電容的充放電速度。

因此當(dāng)MOS管驅(qū)動能力不足時，就需要利用推挽來進行放大電流了。